爱思开海力士有限公司韩大熙获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110411144.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置及其制造方法是由韩大熙;金成淳设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体，形成穿过层叠体的沟道结构，通过去除第一材料层形成开口，在开口中形成非晶阻挡层，以及执行第一热处理工艺以通过开口提供氘并且用氘置换沟道结构中的氢。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤： 形成第一材料层和第二材料层交替层叠的层叠体； 形成穿过所述层叠体的沟道结构； 通过去除所述第一材料层形成开口； 在所述开口中形成非晶阻挡层；以及 执行第一热处理工艺以通过所述开口提供氘并用所述氘置换所述沟道结构中的氢， 其中，所述沟道结构包括沟道层、围绕所述沟道层的隧道绝缘层、围绕所述隧道绝缘层的数据储存层以及围绕所述数据储存层的阻挡层，并且 其中，所述数据储存层包括浓度高于所述沟道层中的氘浓度的氘。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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