北京航空航天大学祝薇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器及制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111383433.6，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器及制法是由祝薇;于跃东;邓元;周杰;胡少雄设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器及制法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器的制备方法，通过采用激光直写在基底上刻蚀图案化凹槽，并沉积底电极材料层和热电材料层后，分别通过刮刀技术刮削掉基底上表面多余材料的方式来实现基底凹糟内电极材料层和热电材料层的图案化。整个工艺流程具有简单、高效、低成本的优势，能够实现微米级的加工精度，满足面外型热电微器件的高密度集成需求，且所制备的器件具有1mm以内的厚度和毫秒级的响应速度。本发明所述方法，通过控制激光刻蚀的能量和执行次数，可有效控制基底刻蚀凹槽的深度，同时通过凹槽结构设计可以实现功能材料的高精度图案化制备。
本发明授权基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器及制法在权利要求书中公布了：1.一种基于超快激光基底图案化刻蚀的热电式微型温度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在预处理后的基底上用超快激光直写技术刻蚀图案化凹槽；所述超快激光图案化刻蚀的具体操作为：将基底置于1064nm波长的激光器下，调准激光器焦距，设置激光器重频为1000kHz，脉宽为600ps，光斑扫描速度400-800mms，激光能量密度设置为13.68-17.1Jcm-2，填充线间距设为0.01mm，总共进行20-24次扫描刻蚀； 2在步骤1处理后的基底上沉积一层底电极材料； 3将基底上表面凹槽区域之外的多余电极材料刮除，获得位于凹槽内的图案化底电极； 4在步骤3所述图案化底电极上依次沉积长条形n型热电材料和p型热电材料，并在沉积热电材料后，将基底上表面凹槽区域之外的多余热电材料刮除，获得位于凹槽内的图案化热电臂； 5在步骤4所述热电臂上沉积图案化上电极，即得所述热电式微型温度传感器。
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