应用材料公司刘乐群获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利处理动态随机存取存储器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080056052.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权处理动态随机存取存储器的方法是由刘乐群;普里亚达希·潘达;乔纳森·C·肖设计研发完成，并于2020-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理动态随机存取存储器的方法在说明书摘要公布了：描述形成DRAM位线以改进线边缘粗糙度LER并降低电阻的方法。所述方法包含以下步骤：将惰性物质注入到基板上的具有第一晶粒尺寸的位线金属层中，以形成具有第二晶粒尺寸的非晶化位线金属层，所述第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸。接着将膜堆叠物沉积于非晶化位线金属层上。蚀刻膜堆叠物和非晶化位线金属层，以于基板上形成图案化膜堆叠物。热退火基板上的图案化膜堆叠物。
本发明授权处理动态随机存取存储器的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成DRAM位线的方法，所述方法包含以下步骤： 将惰性物质注入到基板上的具有第一晶粒尺寸的位线金属层中，以形成具有第二晶粒尺寸的非晶化位线金属层，所述第二晶粒尺寸小于所述第一晶粒尺寸； 将膜堆叠物沉积于所述非晶化位线金属层上； 蚀刻所述膜堆叠物和非晶化位线金属层，以于所述基板上形成图案化膜堆叠物；和 热退火所述基板上的所述图案化膜堆叠物，以形成所述非晶化位线金属层的第三晶粒尺寸，其中所述第三晶粒尺寸大于所述第二晶粒尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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