应用材料公司米兰·佩西奇获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利可重新配置的基于FINFET的人工神经元及突触设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114258589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080058772.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权可重新配置的基于FINFET的人工神经元及突触设备是由米兰·佩西奇设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本可重新配置的基于FINFET的人工神经元及突触设备在说明书摘要公布了：一种在半导体装置上一起实施人工神经元及突触的半导体装置包括：多个鳍片，形成于所述半导体装置上；及多个栅极，围绕所述多个鳍片形成，以形成多个鳍式场效应晶体管FinFET。所述多个FinFET可以形成一或更多个人工突触及一或更多个人工神经元。所述一或更多个人工突触中的每一者均可以包括所述多个栅极中的二或更多者。所述一或更多个人工神经元中的每一者均包括所述多个栅极中的一者。
本发明授权可重新配置的基于FINFET的人工神经元及突触设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，在所述半导体装置上一起实施人工神经元及突触，所述半导体装置包括： 多个鳍片，形成于所述半导体装置上； 多个栅极，围绕所述多个鳍片形成，以形成多个铁电鳍式场效应晶体管FinFET，其中： 所述多个FinFET包括一或更多个人工突触及一或更多个人工神经元； 所述一或更多个人工突触中的每一者均包括所述多个栅极中的二或更多者，所述多个栅极中的所述二或更多者使用电连接而电气地连接在一起；且 所述一或更多个人工神经元中的每一者均包括所述多个栅极中的单个栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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