深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210051673.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法是由刘新科;吴钧烨;黎晓华;宋利军;黄双武设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法，包括：对非掺自支撑衬底进行减薄，在包含杂质元素气体的气氛下将衬底加热至700‑900摄氏度，保温至少8小时，以使杂质扩散至衬底内；在衬底表面生长N型GaN，在N型GaN表面外延生长AlGaN，以在N型GaN和AlGaN的界面处形成二维电子气层，以及在AlGaN表面外延生长P型GaN；在P型GaN的两端分别制备电极和漏电极，刻蚀去除P型GaN中制备电极和漏电极的区域，并刻蚀减薄AlGaN的两端，以及在P型GaN的表面镀金属膜制备栅极。本发明在含有杂质的气氛下，再进行加热，由此通过热扩散的方式在GaN衬底中掺杂碳杂质来调控衬底的电阻率，当足够的碳杂质被掺入衬底中时，会形成高阻，有利于其作为高电子迁移率晶体管衬底的使用。
本发明授权一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 对非掺自支撑衬底进行减薄，在包含杂质元素气体的气氛下将衬底加热至700-900摄氏度，保温至少8小时，以使杂质扩散至衬底内； 在衬底表面生长n型GaN，在n型GaN表面外延生长AlGaN，以在n型GaN和AlGaN的界面处形成二维电子气层，以及在AlGaN表面外延生长p型GaN； 在p型GaN的两端分别制备电极和漏电极，刻蚀去除p型GaN中制备电极和漏电极的区域，并刻蚀减薄AlGaN的两端，以及在p型GaN的表面镀金属膜制备栅极； 其中，杂质元素气体为含碳杂质元素的气体。
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