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龙图腾网获悉株式会社新川申请的专利半导体装置的制造装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040527.0，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权半导体装置的制造装置及制造方法是由高桥诚设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造装置及制造方法在说明书摘要公布了：公开一种可适当地保持半导体装置的品质的半导体装置的制造装置及制造方法。半导体装置的制造装置包括：载台；接合头，具有安装工具、搭载于所述安装工具的工具加热器以及使所述安装工具在铅垂方向上移动的升降机构；以及控制器，进行接合处理，并且所述控制器在所述接合处理中进行：第一处理，在使芯片着落到基板后，开始所述芯片的加热，同时对所述芯片向所述基板进行加压；变形消除处理，在所述第一处理后且凸块的熔融前，通过在上升方向上驱动所述升降机构而消除所述接合头的变形；以及第二处理，在所述变形消除处理后，通过以使所述接合头的热膨缩抵消的方式对所述升降机构进行位置控制，从而将间隙量保持为规定的目标值。

本发明授权半导体装置的制造装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造装置，其特征在于包括： 载台，支撑基板； 接合头，具有对芯片底面设置有凸块的芯片进行保持的安装工具、为了对所述芯片进行加热而搭载于所述安装工具的工具加热器、以及使所述安装工具在铅垂方向上移动的升降机构；以及 控制器，进行控制所述接合头的驱动并将所述芯片接合到所述基板的接合处理，并且 所述控制器在所述接合处理中进行： 第一处理，在使所述芯片着落到所述基板后，驱动所述工具加热器及所述升降机构，开始所述芯片的加热，同时对所述芯片向所述基板进行加压； 变形消除处理，在所述第一处理后且所述凸块的熔融前，通过在上升方向上驱动所述升降机构而消除所述接合头的变形；以及 第二处理，在所述变形消除处理后，通过以使所述接合头的热膨胀抵消的方式对所述升降机构进行位置控制，从而将所述芯片的底面与所述基板的上表面的间隙量保持为规定的目标值， 其中在所述变形消除处理中，基于变形消除量在所述上升方向上驱动所述升降机构，其中所述变形消除量是用于消除以标准载荷对所述芯片进行加压时所述升降机构所产生的变形所需的移动量。

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