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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111506117.3，技术领域涉及：H10W90/20；该发明授权芯片封装结构是由沈鹏飞设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：基板；位于基板一侧的第一芯片层，包括一个或多个芯片，第一芯片层的芯片的非功能面朝向基板；第一再布线层，位于第一芯片层背对基板的一侧，与第一芯片层的芯片的功能面电连接；第二芯片层，位于第一再布线层背对第一芯片层的一侧，包括一个或多个芯片，第二芯片层的芯片的功能面朝向第一再布线层且与第一再布线层电连接；第二再布线层，位于第二芯片层背对第一再布线层的一侧，与第一再布线层电连接；键合线，一端与第二再布线层电连接，另一端与基板电连接。本申请提供的芯片封装结构，能够实现三维多芯片的纵向垂直堆叠，节约基板横向空间，且节约成本。

本发明授权芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：基板； 第一芯片层，位于所述基板一侧，所述第一芯片层包括一个或多个芯片，所述第一芯片层的芯片的非功能面朝向所述基板； 第一再布线层，位于所述第一芯片层背对所述基板的一侧，所述第一再布线层与所述第一芯片层的芯片的功能面电连接； 第二芯片层，位于所述第一再布线层背对所述第一芯片层的一侧，所述第二芯片层包括一个或多个芯片，所述第二芯片层的芯片的功能面朝向所述第一再布线层且与所述第一再布线层电连接； 第二再布线层，位于所述第二芯片层背对所述第一再布线层的一侧，所述第二再布线层与所述第一再布线层电连接； 键合线，一端与所述第二再布线层电连接，另一端与所述基板电连接； 第一介质层，位于所述第一芯片层背离所述基板一侧，且所述第一介质层至少覆盖所述第一芯片层面向所述第一再布线层一侧；所述第一介质层上设有第一开口，所述第一开口的位置与所述第一芯片层的芯片上的焊盘对应；所述第一再布线层通过所述第一开口与所述第一芯片层的芯片的功能面电连接； 第二介质层，位于所述第一再布线层背离所述基板一侧，且所述第二介质层至少覆盖所述第一再布线层背离所述基板一侧；所述第二介质层上设有第二开口，所述第二开口的位置与所述第二芯片层的芯片上的焊盘对应，所述第一再布线层通过所述第二开口与所述第二芯片层的芯片的功能面电连接； 所述第一芯片层中的芯片与所述第二芯片层中的芯片一一对应以构成多个芯片组；其中，至少部分所述芯片组中的两个芯片焊盘位置相同，所述焊盘位置相同的两个芯片所处位置处的所述第一开口和所述第二开口对齐设置。

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