杭州电子科技大学毛远婷获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种三维霍尔条阵列及其制作方法与电路互联方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210157675.1，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种三维霍尔条阵列及其制作方法与电路互联方法是由毛远婷;周铁军;李海;冯重舒;董坤宇设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维霍尔条阵列及其制作方法与电路互联方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维霍尔条阵列及其制作方法与电路互联方法，通过依次在硅基集成电路上表面制备特定排布形式的多组电极片、与电极片相连的磁性多层膜、高温下有较好流动性的绝缘层，保留与电极片相连的霍尔条及其上方的绝缘层及金属电极部分，对磁性多层膜和绝缘层刻蚀形成霍尔条结构，并通过热处理使绝缘层流动覆盖住薄膜边缘。再生长与下一组电极互联的尺寸略大些的磁性多层膜及绝缘层，重复上述步骤，依次得到多个与不同组电极互联的层叠的霍尔条结构，实现三维霍尔条阵列。每层霍尔条结构均可以通过电极片实现与集成电路的紧密互联。本申请得到的三维霍尔条阵列可用于存算一体化计算当中，实现高集成度的存算一体化芯片。
本发明授权一种三维霍尔条阵列及其制作方法与电路互联方法在权利要求书中公布了：1.一种三维霍尔条阵列，其特征在于：包括n个层叠的霍尔条结构，n=2； 所述霍尔条结构从下到上依次为电极、十字型磁性多层膜以及包裹在磁性多层膜外表面的绝缘层；所述电极包括输入端电极与输出端电极，其中输入端电极设置在十字型磁性多层膜对称的两端，输出端电极设置在其余两端；n个霍尔条结构的电极均位于同一集成电路表面，并与集成电路内部连接，不同霍尔条结构的电极之间相互平行且位置不重叠；由下至上的霍尔条结构中的十字型磁性多层膜的大小逐渐增大； 霍尔条结构的电极通过过孔与电路内部接口实现连接；在霍尔条结构中，输入端电极垂直于与其相连的十字型多层膜端口，两个输入端电极相互平行且引出方向相反；输出端电极垂直于与其相连的十字型多层膜端口，两个输出端电极相互平行且引出方向相反； 所述的十字型磁性多层膜从下至上依次为：底部金属隔离层、重金属层、铁磁层和顶部金属隔离层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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