长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004960.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权三维存储装置及其形成方法是由吴林春;张坤;周文犀;夏志良;谢炜;王迪;王秉国;霍宗亮设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储装置及其形成方法在说明书摘要公布了：一种三维3D存储装置包括具有交错的导电层和电介质层的堆叠结构，以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构。沟道结构在沟道结构的底部处与3D存储装置的源极接触。沟道结构包括半导体沟道和半导体沟道之上的存储膜。存储膜包括第一有角结构，并且所述存储膜在所述第一有角结构下方的所述底部处的第一直径小于所述存储膜在所述第一有角结构上方的上部处的第二直径。
本发明授权三维存储装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储装置，包括： 堆叠结构，其包括交错的导电层和第一电介质层；以及 沟道结构，其沿第一方向延伸穿过所述堆叠结构，并且在所述沟道结构的底部处与所述3D存储装置的源极接触，所述沟道结构包括半导体沟道和所述半导体沟道之上的存储膜， 其中，所述存储膜在所述沟道结构的底部处包括第一有角结构，并且所述存储膜在所述第一有角结构下方的所述底部处的第一直径小于所述存储膜在所述第一有角结构上方的上部处的第二直径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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