长电集成电路(绍兴)有限公司李宗怿获国家专利权
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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利高密度扇出封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457855.1，技术领域涉及：H10W70/09；该发明授权高密度扇出封装结构及其制备方法是由李宗怿;郭良奎;梁新夫;丁晓春设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度扇出封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供高密度扇出封装结构及其制备方法，所述方法包括：提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上；对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面；在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接；在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件；对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构；解决了现有技术中的高密度扇出封装结构在制作中存在芯片翘曲的问题。
本发明授权高密度扇出封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一硅基板，将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上； 对所述待封装芯片进行塑封，制备得到塑封层，其中所述塑封层的顶面与所述待封装芯片有源面上的互联柱的顶端在同一水平面； 在所述塑封层的顶面制备多层布线层，使所述多层布线层与所述互联柱相互连接； 在所述多层布线层上制备与封装互联体导通互联的焊接构件； 对所述硅基板进行减薄处理，得到高密度扇出封装结构； 将待封装芯片的无源面粘贴在所述硅基板上，包括： 对所述待封装芯片的无源面和硅基板的一面分别进行研磨处理，分别得到芯片镜面硅基面和基板镜面硅基面； 提供一金属片，对所述金属片的两面分别进行研磨处理，分别得到第一镜面金属面和第二镜面金属面； 将所述芯片镜面硅基面与所述第一镜面金属面键合，将所述第二镜面金属面与所述基板镜面硅基面键合。
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