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龙图腾网获悉上海壁仞智能科技有限公司申请的专利芯片制造方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210871350.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权芯片制造方法及设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片制造方法及设备在说明书摘要公布了：一种芯片制造方法和设备。该芯片制造方法包括：在晶圆上制备多个预定芯片集合，其中，每个预定芯片集合包括多个单芯片；对多个预定芯片集合中的每个单芯片进行合格性测试；基于测试的结果对晶圆进行切割，其中，响应于多个预定芯片集合中的第一预定芯片集合内的每个芯片都是合格的，将第一预定芯片集合作为整体切割，或者响应于多个预定芯片集合中的第二预定芯片集合内的部分芯片是合格的时，将第二预定芯片集合中不合格的单芯片和合格的单芯片切割分离。该芯片制造方法基于晶圆上形成的单芯片的是否合格对晶圆进行不同方式的切割，从而减少制造成本。

本发明授权芯片制造方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片制造方法，包括： 在晶圆上制备多个预定芯片集合，其中，每个预定芯片集合包括多个单芯片； 对所述多个预定芯片集合中的每个单芯片进行合格性测试； 基于所述测试的结果对所述晶圆进行切割，其中 响应于所述多个预定芯片集合中的第一预定芯片集合内的每个单芯片都是合格的，将所述第一预定芯片集合作为整体切割，或者 响应于所述多个预定芯片集合中的第二预定芯片集合内的部分单芯片是合格的，将所述第二预定芯片集合中不合格的单芯片和合格的单芯片切割分离， 其中，在对所述多个预定芯片集合中的每个单芯片进行测试之后，在基于所述测试的结果对所述晶圆进行切割之前，所述方法还包括： 根据所述测试的结果，在所述晶圆上形成至少一个重分布层以电连接同一预定芯片集合内相邻的两个合格的单芯片， 其中，对于所述同一预定芯片集合为所述第一预定芯片集合的情形，所述重分布层包括用于电连接所述第一预定芯片集合内全部合格的单芯片的第一导电结构；或者 对于所述同一预定芯片集合为所述第二预定芯片集合的情形， 若所述第二预定芯片集合包括在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片，所述重分布层包括用于电连接所述第二预定芯片集合内的所述在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片的第二导电结构；或者 若所述第二预定芯片集合不包括在同一行或同一列的相邻的两个合格的单芯片，所述重分布层不形成在所述第二预定芯片集合上，或所述重分布层形成在所述第二预定芯片集合上但不电连接相邻的两个单芯片。

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