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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901147.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由西口俊史设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够降低寄生电容的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一～第三电极、第一～第三半导体区域、栅极电极、及第一、第二绝缘部。第一半导体区域设于第一电极上。第二半导体区域设于第一半导体区域上。第三半导体区域设于第二半导体区域上。第二电极与第三半导体区域电连接。第三电极与第一、第二半导体区域并排。栅极电极设于第三电极与第二半导体区域之间。第一绝缘部设于第三电极与第一半导体区域之间。第一绝缘部包括第一、第二绝缘区域和空隙区域。第一绝缘区域与第三电极对置。第二绝缘区域与第一半导体区域对置。空隙区域位于第一绝缘区域与第二绝缘区域之间。第二绝缘部设于栅极电极与第二半导体区域之间。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 第一电极； 第一导电型的第一半导体区域，被设于所述第一电极之上； 第二导电型的第二半导体区域，被设于所述第一半导体区域之上； 第一导电型的第三半导体区域，被有选择地设于所述第二半导体区域之上； 第二电极，被设于所述第三半导体区域之上，与所述第三半导体区域电连接； 第三电极，在与第一方向垂直的第二方向上，与所述第一半导体区域及所述第二半导体区域并排，所述第一方向从所述第一电极朝向所述第一半导体区域； 栅极电极，在所述第二方向上被设于所述第三电极与所述第二半导体区域之间； 第一绝缘部，在所述第二方向上被设于所述第三电极与所述第一半导体区域之间，包括第一绝缘区域、第二绝缘区域以及至少一个的空隙区域，所述第一绝缘区域在所述第二方向上与所述第三电极对置，所述第二绝缘区域在所述第二方向上与所述第一半导体区域对置，所述至少一个的空隙区域在所述第二方向上位于所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间；以及 第二绝缘部，在所述第二方向上被设于所述栅极电极与所述第二半导体区域之间， 所述第一绝缘部包括在所述第二方向上位于所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间的第五绝缘区域， 所述空隙区域包括：第一空隙区域，在所述第二方向上位于所述第一绝缘区域与所述第五绝缘区域之间；第二空隙区域，在所述第二方向上位于所述第五绝缘区域与所述第二绝缘区域之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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