上海华力微电子有限公司舒宇飞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211043325.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由舒宇飞;熊凌昊;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，且所述衬底上具有依次覆盖所述衬底及所述浅沟槽隔离结构的第一阻挡氧化层、抗反射层和光刻胶层；采用各向异性刻蚀工艺除去所述光刻胶层、所述抗反射层及部分厚度的所述第一阻挡氧化层，剩余的所述第一阻挡氧化层构成第二阻挡氧化层，所述第二阻挡氧化层的厚度小于所述第一阻挡氧化层厚度的一半；采用各向同性刻蚀工艺除去所述第二阻挡氧化层；在所述衬底上形成存储栅结构。通过各向异性刻蚀工艺除去第一阻挡氧化层的大部分厚度，缩短所述各向同性刻蚀工艺的工艺时间，进而减小浅沟槽隔离结构中侧墙缺口的大小。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的顶面，且所述衬底上具有依次覆盖所述衬底及所述浅沟槽隔离结构的第一阻挡氧化层、抗反射层和光刻胶层； 采用各向异性刻蚀工艺除去所述光刻胶层、所述抗反射层及部分厚度的所述第一阻挡氧化层，剩余的所述第一阻挡氧化层构成第二阻挡氧化层，所述第二阻挡氧化层的厚度小于所述第一阻挡氧化层厚度的一半； 采用各向同性刻蚀工艺除去所述第二阻挡氧化层； 在所述衬底上形成存储栅结构。
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