杭州电子科技大学蔡佳林获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115358090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211110623.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法是由蔡佳林;刘博设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法。该方法利用CSWPL函数描述GaN功率晶体管的端口的入射波与反射波的关系，在CWPL函数的基础上通过自身嵌套的方式拓展了维度，建立对应的行为模型。然后使用PSO算法优化多维分段线性行为模型中的分区阈值，使模型的准确率在原有的基础上进一步提高。本发明基于PSO算法和CSWPL函数，开发了可用于GaNHEMT器件在大信号、不同输入功率状态下的行为预测的模型，获得了较高的精度。实验证明本方明建立的行为模型与实测数据有很好的拟合。
本发明授权基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法在权利要求书中公布了：1.基于PSO优化的多维分段线性晶体管行为模型建立方法，其特征在于：具体包括以下步骤： 步骤1、数据提取 保持频率不变，测量GaN功率晶体管各端口在不同输入功率下入射波和散射波的波变量Ap、Bp，其中p＝1、2，表示功率晶体管的端口编号； 步骤2、模型建立 使用CSWPL函数描述GaN功率晶体管的行为模型： 其中，m为谐波次数，A11、A21分别表示端口一、端口二处入射波的基波，B21表示端口二处散射波的基波；L表示最大傅立叶阶数，K和J分别表示A11和A21的分区数，βk和βj表示A11和A21的分区阈值；将步骤1提取的实测数据用于该行为模型的训练，得到模型系数c； 步骤3、模型优化 将步骤1中的实测数据与步骤2中模型的输出数据的归一化均方误差作为该模型的适应度评价函数，利用PSO算法对步骤2训练后的GaN功率晶体管的行为模型的分区阈值进行优化，输出最佳阈值系数Bk； 步骤4、模型更新 使用步骤3得到的最佳阈值系数Bk对步骤2中的行为模型进行更新，得到最终的多维分段线性晶体管行为模型。
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