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龙图腾网获悉华天科技(南京)有限公司申请的专利TSV产品封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210971466.0，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权TSV产品封装方法是由李凯;刘卫东;李瑞雪设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本TSV产品封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了TSV产品封装方法，涉及基板产品封装设计技术领域，可以提供一种增加芯片容量的方法，实现在有限空间内堆叠更多的芯片。包括：在第一基板上根据设定位置粘贴第一TSV芯片和第二TSV芯片，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间留有间隙；在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板；将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对；在所述转接基板上依次设置第二FC芯片，第三FC芯片和第四FC芯片。

本发明授权TSV产品封装方法在权利要求书中公布了：1.TSV产品封装方法，其特征在于，包括： 在第一基板上根据设定位置粘贴第一TSV芯片和第二TSV芯片，所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间留有间隙； 在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板； 将所述转接基板设置在所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片的上层，所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的上表面与所述第一基板的上表面相对； 在所述转接基板上依次设置第二FC芯片，第三FC芯片和第四FC芯片； 所述第一FC芯片位于所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片之间，且所述第一FC芯片的两侧与所述第一TSV芯片和所述第二TSV芯片均不接触；所述第三FC芯片位于所述第二FC芯片和所述第四FC芯片之间，且所述第三FC芯片的两侧与所述第二FC芯片和所述第四FC芯片均不接触； 所述第二FC芯片与所述第四FC芯片具有相同的尺寸，且所述第二FC芯片与所述第四FC芯片分别位于第一TSV芯片和第二TSV芯片的正上方，所述第三FC芯片位于所述第一FC芯片上方，所述第一FC芯片与所述第三FC芯片尺寸相同； 所述在转接基板上设置根据设定位置粘贴第一FC芯片，通过切割得到只包括第一FC芯片的转接基板，具体为： 先将所述第一FC芯片粘贴在所述转接基板上，当在所述转接基板的设定位置粘贴多个所述第一FC芯片之后，对所述转接基板进行UV切割，将所述转接基板切割成只包括一颗所述第一FC芯片的转接基板；通过UV切割后得到的只包括一颗所述第一FC芯片的转接基板，其尺寸比所述第一基板的尺寸小，但其一个侧面粘贴三个不同尺寸的芯片。

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