长鑫存储技术有限公司廖昱程获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211065448.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由廖昱程;李延龙;刘文杰设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：设于衬底内的源极和漏极；位于所述衬底之上的栅氧层；形成于所述栅氧层之上的栅极，且所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述栅极包括位于所述栅氧层之上的浮栅和第一控制栅，以及位于所述浮栅和所述第一控制栅上的第二控制栅；其中，所述第一控制栅具有第一阈值电压；所述第二控制栅具有第二阈值电压；所述第一阈值电压和所述第二阈值电压不同；设置在所述浮栅和所述第一控制栅、所述第二控制栅之间的电介质层。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于， 所述半导体器件包括： 设于衬底内的源极和漏极； 位于所述衬底之上的栅氧层； 形成于所述栅氧层之上的栅极，且所述栅极位于所述源极和所述漏极之间； 所述栅极包括位于所述栅氧层之上的浮栅和第一控制栅，以及位于所述浮栅和所述第一控制栅上的第二控制栅；其中，所述第一控制栅具有第一阈值电压；所述第二控制栅具有第二阈值电压；所述第一阈值电压和所述第二阈值电压不同； 设置在所述浮栅和所述第一控制栅、所述第二控制栅之间的电介质层； 所述第一控制栅和所述第二控制栅的材料包括氮元素掺杂的金属材料或未掺杂的金属材料； 在所述第一控制栅和所述第二控制栅的材料包括氮元素掺杂的金属材料的情况下，所述第一控制栅和所述第二控制栅的掺杂浓度不同； 在所述第一控制栅和所述第二控制栅的材料包括未掺杂的金属材料的情况下，所述第一控制栅和所述第二控制栅沿垂直于所述衬底的方向上的厚度不同或所述第一控制栅和所述第二控制栅的材料不同。
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