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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115877090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211666547.6，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置是由朱辉;余承勇;夏伟杰;何骁;高勇;张云鹏;高冲;郑虎;李恩设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置，属于微波、毫米波材料电磁参数测试技术领域。该装置包括重入式同轴谐振腔、样品夹具以及支撑底座三个部分，通过分别在谐振腔内电场强度以及磁场最强的地方放置样品，从而分别测得薄膜材料的复介电常数和磁导率，仅利用一套装置完成了对样品的复介电常数和磁导率的测试；同时放样间隙不切断电力线，不会影响腔内场分布，使得该装置在保有谐振腔品质因数高的优点的同时，缩小了腔体体积，将谐振腔内的电场主要集中在电容加载区域，提升了测试的带宽、灵敏度和精确度，降低了对样品尺寸的要求。

本发明授权一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置在权利要求书中公布了：1.一种基于重入式同轴谐振腔的薄膜材料电磁特性测试装置，其特征在于，包括重入式同轴谐振腔1、待测样品夹具2和支撑底座3； 所述重入式同轴谐振腔1包括谐振腔内导体4、谐振腔外导体5、耦合激励装置6-1和耦合接收装置6-2；其中，谐振腔外导体5为中空圆柱体，其仅具有上顶面，且上顶面的中心设置缝隙，靠近下底面的侧壁上设置与上顶面缝隙位置相对应的缝隙；谐振腔内导体4包括导体柱4-1和底座4-2，导体柱4-1为实心金属圆柱，上顶面和下底面中心均设置缝隙，且下底面的缝隙向柱体延伸；底座为金属圆盘状，其圆心处设置贯穿的缝隙，导体柱固定设置于底座中心处；导体柱4-1上顶面和谐振腔外导体5的上顶面不接触；谐振腔内导体4和谐振腔外导体5上设置的缝隙均共面；谐振腔外导体5上顶面的缝隙5-2和导体柱4-1上顶面的缝隙4-3共同作为薄膜材料的复介电常数测试通道，谐振腔外导体5靠近下底面侧壁上的缝隙5-3和导体柱4-1下底面的缝隙4-4、谐振腔内导体4底座上的缝隙共同作为薄膜材料的磁导率测试通道； 耦合激励装置6-1和耦合接收装置6-2通过装置固定件对称固定设置于谐振腔外导体5靠近下底面的侧壁上，且耦合激励装置6-1和耦合接收装置6-2设置位置的连线与谐振腔外导体5上顶面的缝隙5-2相互垂直； 重入式同轴谐振腔1水平放置于支撑底座3上，支撑底座3的左右两侧分别设置待测样品夹具2；其中，待测样品夹具2由两片“凹字型”薄板组成，待测薄膜放置于两片薄板之间，且位于凹陷处，两片薄板通过螺钉固定夹紧，薄板侧面通过微分头固定设置于支撑底座3上；通过调节微分头移动待测薄膜在复介电常数测试通道和磁导率测试通道中的深入深度。

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