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龙图腾网获悉长沙理工大学申请的专利一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115936085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211591341.1，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法是由余飞;孔新新;黄园媛;姚卫;蔡烁设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法，其中，多场景的HNN构建方法构建的非多项式忆阻器，不仅保证了动态方程右侧的平滑，而且保持了常数级别的方法复杂度；基于非多项式忆阻器，构建三种场景的忆阻HNN，从这些HNN中发现了丰富的动力学行为，包括可控单向扩展多涡卷吸引子、可控网格多涡卷吸引子、初始偏移引发的混沌共存和初始偏移引发的周期共存。本发明的自适应同步方法通过构建自适应状态观测器和同步控制器，在三种场景的忆阻HNN中选择任意两个场景的忆阻HNN作为主系统和从系统，基于自适应状态观测器，采用同步控制器使主系统和从系统同步，能够很好的模拟大脑不同区域之间的同步。

本发明授权一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法在权利要求书中公布了：1.一种多场景的HNN构建方法，其特征在于，所述多场景的HNN构建方法应用于图像加密，包括： 构建非多项式忆阻器为： 其中，表示所述非多项式忆阻器的参数，表示所述非多项式忆阻器的输出电流，表示忆导，表示外部输入电压，表示忆阻器内部状态变量，表示对时间进行求导，表示忆阻内部状态函数，的表达式为： 其中，表示被用于诱导奇数个涡卷，表示被用于诱发偶数个涡卷，odd-scrolls表示奇数个涡卷，even-scrolls表示偶数个涡卷； 基于所述非多项式忆阻器，构建三种场景的忆阻HNN；其中，所述三种场景的忆阻HNN包括忆阻突触权重HNN、电磁辐射下的HNN和电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN，具体为： 构建所述忆阻突触权重HNN为： ； 构建所述电磁辐射下的HNN为： ； 构建所述电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN为： ； 其中，表示所述忆阻突触权重HNN的参数或所述电磁辐射下的HNN的参数，、、、和分别表示神经元1、2、3、4和5的膜电位，、和表示外部刺激电流，、和表示系数，表示神经元激活函数，、、、和分别表示对、、、和的微分，表示所述电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN的参数； 采用所述三种场景的忆阻HNN中的任一场景的HNN，生成用于图像加密的随机序列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长沙理工大学，其通讯地址为：410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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