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龙图腾网获悉宁波合盛新材料有限公司申请的专利一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115976643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055979.1，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法是由陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。本发明提供的大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法中，利用大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，以碳化硅粉料为原料，在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭；以硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物为原料，以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。采用本发明提供的方法可以生长得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶，且可在同一块碳化硅单晶上实现不同类型的掺杂。

本发明授权一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，包括以下步骤： 提供大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，包括上部石墨坩埚、下部石墨坩埚、多孔石墨圆筒、多孔石墨筒、籽晶提杆、石墨籽晶盖、保温毡和感应线圈；所述上部石墨坩埚设置于所述下部石墨坩埚的顶部，且所述上部石墨坩埚的底部与所述下部石墨坩埚相连通；所述上部石墨坩埚和所述下部石墨坩埚内分别设置有一所述多孔石墨圆筒，所述多孔石墨圆筒内设置有所述多孔石墨筒；所述上部石墨坩埚和所述下部石墨坩埚的周围以及所述上部石墨坩埚的上方、所述下部石墨坩埚的底部均设置有所述保温毡；所述保温毡外侧设置有所述感应线圈；其中，所述上部石墨坩埚顶部设置有上石墨盖，所述上石墨盖中部设置贯通孔；所述贯通孔内位于所述多孔石墨筒与所述石墨籽晶盖之间设置有扩径石墨环，所述扩径石墨环用于支撑所述石墨籽晶盖底面附着的籽晶并实现晶锭的扩径生长；所述籽晶提杆与所述石墨籽晶盖通过螺纹连接； 将硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物装料至所述多孔石墨圆筒与所述下部石墨坩埚之间，将碳化硅粉料装料至所述多孔石墨圆筒与所述上部石墨坩埚之间，然后在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭，其中，所述第一阶段长晶的初始温度低于2150℃；以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。

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