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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种IGBT半桥电路老化监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211583213.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种IGBT半桥电路老化监测方法及系统是由彭涛;廖菁;陶宏伟;杨超;徐琰淞;阳春华;桂卫华设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT半桥电路老化监测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体器件监测技术领域，公开了一种IGBT半桥电路老化监测方法及系统，该方法能够较为真实的模拟IGBT半桥电路正常、老化情况下的工作状态，对包含IGBT半桥电路的更复杂电路系统老化建模提供基础；能够较为全面的模拟IGBT模块非线性瞬态特性，无需实物损伤性实验就可以得到IGBT模块的老化数据和特征；该方法可推广到其他不同桥型电路的老化建模。

本发明授权一种IGBT半桥电路老化监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种IGBT半桥电路老化监测方法，其特征在于，包括： S1：获取IGBT半桥电路在开通和关断时IGBT模块的瞬态电气特性，并根据瞬态电气特性构建IGBT模块非线性瞬态模型； S2：基于IGBT模块非线性瞬态模型确定IGBT半桥电路换流回路特性； S3：构建模型参数集，根据IGBT半桥电路换流回路特性和模型参数集构建IGBT半桥电路电气模型； S4：建立IGBT半桥电路电气模型的模型参数与IGBT模块老化类型、IGBT和续流二极管老化程度的关系式； S5：根据IGBT半桥电路电气模型和所述关系式构建IGBT半桥电路老化情况下的电气模型，并基于所述IGBT半桥电路老化情况下的电气模型进行IGBT半桥电路老化情况的监测； 所述S3中构建的模型参数集如下： 构建IGBT半桥电路电气模型的参数集，记为，集合内的元素为IGBT模块非线性瞬态模型所对应的参数集，即和，公式如下： 其中，IGBT模块非线性瞬态模型的参数集内的元素为IGBT的栅极杂散电阻、栅极和发射极之间的寄生电容、集电极和栅极之间的寄生电容、集电极和发射极之间的寄生电容、拖尾电流的控制电阻、拖尾电流的控制电容、集电极的寄生电感、栅射极阈值电压、饱和压降、开通稳态正向压降、结构内流过MOSFET的等效电流系数，以及续流二极管的等效内阻、反向恢复电流的时间常数、反向恢复电流系数，具体为：

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