上海兴感半导体有限公司钟小军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海兴感半导体有限公司申请的专利一种闭环电流传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211646936.2，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种闭环电流传感器是由钟小军设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种闭环电流传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闭环电流传感器。所述闭环电流传感器通过设置磁传感芯片位于封装基岛之上、且与封装基岛之间具有第一距离，设置金属构件位于磁传感芯片之上、且与磁传感芯片之间具有第二距离；从而在磁平衡式工作过程中，当已知闭环电流传感器的原边和副边的距离比时，通过测量副边补偿电流的大小，即可推算出原边电流的值，从而实现了原边电流的隔离测量。本发明可以实现无需借用外部磁芯线圈形成闭环通路，从而减小整体体积和降低成本；通过采用半导体封装技术，实现了闭环电流传感器的全集成式单芯片化，具有更小体积，减小空间和降低成本，也实现了高一致性和可靠性。
本发明授权一种闭环电流传感器在权利要求书中公布了：1.一种闭环电流传感器，其特征在于，包括：至少一封装基岛；磁传感芯片，位于所述封装基岛之上，且与所述封装基岛之间具有第一距离；以及金属构件，位于所述磁传感芯片之上，且与所述磁传感芯片之间具有第二距离，所述金属构件为连接芯片封装引脚与所述磁传感芯片的金线，或所述金属构件为位于所述磁传感芯片表面的金属导线层；其中，原边电流流过所述封装基岛、并在所述封装基岛上产生原边磁场，补偿电流流过所述金属构件、并在所述金属构件上产生补偿磁场，所述磁传感芯片感应获得所述补偿磁场以平衡所述原边磁场，实现原边电流的隔离测量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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