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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种正向辐射的异构集成封装天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310009697.8，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权一种正向辐射的异构集成封装天线是由沈一竹;卢森;胡三明设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种正向辐射的异构集成封装天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种正向辐射的异构集成封装天线，介质基片多层垒叠，第一介质基片四周削薄，第二介质基片底部刻蚀矩形环，均用于抑制表面波并提升辐射效率，第三介质基片中心刻蚀空气腔放置MMIC芯片；MMIC芯片上设计有片上天线，天线能量经空气腔传递到第二介质基片，随后由金属化通孔围栏引导至第一介质基片，最终辐射于空气中；金属屏蔽层附着于介质基片表面，留有矩形耦合窗，该矩形耦合窗和金属贴片协同工作来规范传输模式。该正向辐射的异构集成封装天线结合了MMIC芯片工艺和多层介质基片工艺，同时实现了天线的高性能设计和系统的小型化封装，能够应用于毫米波、太赫兹频段的大规模相控阵和反向阵系统中。

本发明授权一种正向辐射的异构集成封装天线在权利要求书中公布了：1.一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，包括介质基片、金属屏蔽层、金属贴片3、金属化通孔围栏4、MMIC芯片5和片上天线6； 所述介质基片共三层，依次垒叠，第一介质基片11四周削薄，中间向上凸出矩形介质块，第二介质基片12底部刻蚀矩形环，中间向下凸出矩形介质块，第三介质基片13中心刻蚀空气腔，保留介质基底； 所述金属屏蔽层附着于介质基片表面，第一金属屏蔽层21附着于第一介质基片11顶面，第二金属屏蔽层22介于第一介质基片11和第二介质基片12之间，第三金属屏蔽层23介于第二介质基片12和第三介质基片13之间，第四金属屏蔽层24附着于第三介质基片13底面，第五金属屏蔽层25附着于第二介质基片12的矩形环顶面，第六金属屏蔽层26附着于第二介质基片12的矩形环外侧面，第七金属屏蔽层27附着于第三介质基片13的空气腔侧面，第八金属屏蔽层28附着于第三介质基片13的空气腔底面； 所述金属贴片3呈矩形状，介于第一介质基片11和第二介质基片12之间，居于中心位置； 所述金属化通孔围栏4首尾相接，整体呈矩形状，从上至下依次贯穿第一金属屏蔽层21、第一介质基片11、第二金属屏蔽层22、第二介质基片12和第五金属屏蔽层25； 所述MMIC芯片5置于第三介质基片13的空气腔内； 所述片上天线6，设计在MMIC芯片5上，居于中心位置； 所述的第一金属屏蔽层21中心留有矩形耦合窗； 所述的第二金属屏蔽层22中心留有矩形耦合窗； 所述的第五金属屏蔽层25中心留有矩形耦合窗。

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