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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利多波长拓扑腔面发射激光器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116073231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111283095.9，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权多波长拓扑腔面发射激光器阵列是由陆凌;李广睿;杨乐臣;高晓梅设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本多波长拓扑腔面发射激光器阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及单片集成的多波长拓扑腔面发射激光器阵列。根据一实施例，一种单片集成的拓扑腔面发射激光器阵列包括由相同的半导体层形成的多个拓扑腔面发射激光器，激光器的至少一个层形成为光子晶体层，或者激光器还包括单独的光子晶体层。光子晶体层包括多个超胞结构，超胞结构的子结构具有多个独立一维参数，一个或多个子结构的至少两个独立一维参数被调制为大于或小于其平衡位置以打开在平衡位置时超胞结构能带的狄拉克点。绕光子晶体层的某一点任意一圈，超胞结构的两个独立一维参数的调制形成涡旋结构，其在参数空间中对应于围绕平衡位置的一圈或多圈。两个激光器的超胞结构晶格常数可以不同以发射不同波长的激光。

本发明授权多波长拓扑腔面发射激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种单片集成拓扑腔面发射激光器阵列，包括由相同的半导体层形成的多个拓扑腔面发射激光器，所述拓扑腔面发射激光器包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层、设置在所述有源层上的第二半导体层、以及分别设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一电极和第二电极， 其中，所述第一电极、所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第二电极中的至少一个形成为光子晶体层，或者所述拓扑腔面发射激光器还包括单独的光子晶体层， 所述光子晶体层包括多个超胞结构，所述超胞结构具有一个或多个子结构，所述子结构具有多个独立一维参数，所述超胞结构的一个或多个子结构的至少两个独立一维参数被调制为大于或小于其平衡位置，以打开在所述平衡位置时所述超胞结构的能带的狄拉克点，绕所述光子晶体层的某一点任意一圈在所有位置都打开所述超胞结构的双重狄拉克点，所述超胞结构的两个独立一维参数的调制形成涡旋结构，所述涡旋结构在由所述两个独立一维参数构成的二维参数空间中对应于围绕平衡位置的一圈或多圈。

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