哈佛学院院长及董事咸燉憙获国家专利权
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龙图腾网获悉哈佛学院院长及董事申请的专利用于细胞电评估的互补金属氧化物半导体(CMOS)多阱装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180058447.2，技术领域涉及：G01N33/50；该发明授权用于细胞电评估的互补金属氧化物半导体(CMOS)多阱装置是由咸燉憙;吴文轩;J·T·阿伯特;H·J·辛顿;H·帕克设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于细胞电评估的互补金属氧化物半导体(CMOS)多阱装置在说明书摘要公布了：本文公开的是提供可以用于生物医学或其它应用的CMOS兼容的晶片级、多阱平台的半导体器件及其操作方法。在一些实施例中，在多阱阵列下方提供电路系统以与阱中的电极电对接。为了与大阵列中的电极对接，可以在具有至少与多阱阵列的维度相同或更大的维度的单个硅Si晶片上制造电路系统。根据本公开的一个方面，可以使用标准CMOS制造工艺，诸如标准半导体铸造厂中已知使用的那些，而无需对复杂制造过程进行昂贵的定制。这在一些情况下可以有助于降低生产成本。
本发明授权用于细胞电评估的互补金属氧化物半导体(CMOS)多阱装置在权利要求书中公布了：1.一种与包括多阱阵列的生化传感器一起使用的半导体器件，所述半导体器件包括： 晶片； 部署在所述晶片内的至少两个标线区域，每个标线区域具有相同设计的多个电路系统，其中每个标线区域包括： 至少一个阱电路，被配置为与所述多阱阵列的阱电连通，以及 路由电路，被配置为将第一类型的信号沿着第一方向从标线区域的第一侧朝标线区域的第二侧路由，以及将包括标线区域输出信号的第二类型的信号沿着与所述第一方向不同的第二方向从标线区域的第三侧朝标线区域的第四侧路由。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈佛学院院长及董事，其通讯地址为：美国马萨诸塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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