日本碍子株式会社坂井正宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日本碍子株式会社申请的专利III族元素氮化物半导体基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180051846.6，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权III族元素氮化物半导体基板是由坂井正宏;大上翔平设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族元素氮化物半导体基板在说明书摘要公布了：本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，即便在第一面上制作的器件的尺寸变大，同一基板内的器件间的器件特性的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，满足选自由下述1～3构成的组中的至少1者。1第一面的表面起伏曲线的最大高度Wz为150nm以下。2第一面的表面起伏曲线的均方根高度Wq为25nm以下。3第一面的表面起伏曲线要素的平均长度WSm为0.5mm以上。
本发明授权III族元素氮化物半导体基板在权利要求书中公布了：1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面， 所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于， 在将III族元素氮化物半导体基板粘贴于加工平台进行表面加工时，通过将III族元素氮化物半导体基板粘贴于加工平台的压力设为翘曲的III族元素氮化物半导体基板的表面变得平坦的压力的2倍以上10MPa以下，该第一面的表面起伏曲线的最大高度Wz为150nm以下，该第一面的表面起伏曲线的均方根高度Wq为25nm以下，该第一面的表面起伏曲线要素的平均长度WSm为0.5mm以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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