山东华光光电子股份有限公司朱振获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310043599.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器是由朱振;孙春明设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，电流注入区呈凹槽状，由腐蚀掉全部非掺杂GaAs层以及部分高掺杂的GaAs欧姆接触层形成。电流注入区两侧表面覆盖有超厚绝缘层。通过非掺杂的GaAs层以及凹槽状电流注入区实现反波导效应，通过反波导效应过滤掉高阶模式的光，只有与两端腔面垂直的光可以进行F‑P震荡、放大形成激光并输出，进而大幅度降低了慢轴发散角。同时，电流注入区两侧绝缘层材料可有效降低两侧的散热效率，进而有效消除热透镜效应，防止芯片在大功率工作模式下因热透镜效应重新形成波导效应，进一步降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
本发明授权一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种采用反波导效应的低发散角宽条型大功率半导体激光器，其特征在于，从下至上依次为N面金属层、衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、高掺杂的GaAs欧姆接触层、非掺杂的GaAs层、绝缘层、P面金属，上方有电流注入区，所述电流注入区呈凹槽状，所述凹槽状电流注入区是由腐蚀掉全部非掺杂GaAs层以及部分高掺杂的GaAs欧姆接触层所形成；凹槽状电流注入区两侧表面覆盖有绝缘层；所述绝缘层和高掺杂的GaAs欧姆接触层上覆盖有P面金属。
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