中国科学院上海微系统与信息技术研究所武爱民获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310114688.5，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器是由武爱民;李文霏;吴龙生设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器。该滤波器包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移相布拉格光栅结构上方的移相区域设置第一非易失性相变材料薄膜，所述移相布拉格光栅结构上方的均匀光栅区域设置第二非易失性相变材料薄膜，所述第一非易失性相变材料薄膜设置在所述第二非易失性相变材料薄膜之间。该滤波器在保证传输损耗仅0.76dB的前提下同时实现传输功率不变中心波长偏移和传输中心波长不变功率调谐的功能。
本发明授权一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器，其特征在于，包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移相布拉格光栅结构上方的移相区域设置第一非易失性相变材料薄膜，所述移相布拉格光栅结构上方的均匀光栅区域设置第二非易失性相变材料薄膜，所述第一非易失性相变材料薄膜设置在所述第二非易失性相变材料薄膜之间；所述第一非易失性相变材料薄膜为Ge2Sb2Se4Te1薄膜；第二非易失性相变材料薄膜为Sb2Se3薄膜。
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