中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310274294.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法是由李永亮;刘昊炎;罗军;王文武设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以通过制造应力源结构的应力源层向沟道区施加应力，提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和应力源结构。半导体基底具有埋氧层。有源结构形成在埋氧层上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。有源结构位于沟道区内的部分的材料为硅、锗硅或锗。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。应力源结构至少设置在沟道区的下方、且位于栅堆叠结构和埋氧层之间。应力源结构的材料为锗硅，且在有源结构位于沟道区内的部分的材料为锗硅的情况下，应力源结构和有源结构位于沟道区内的部分的材料中锗含量不同。
本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底具有埋氧层； 有源结构，形成在所述埋氧层上；所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述有源结构位于沟道区内的部分的材料为硅、锗硅或锗； 栅堆叠结构，环绕在所述沟道区的外周； 应力源结构，至少设置在所述沟道区的下方、且位于所述栅堆叠结构和所述埋氧层之间；所述应力源结构的材料为锗硅；在所述有源结构位于沟道区内的部分的材料为锗硅的情况下，所述应力源结构和所述有源结构位于沟道区内的部分的材料中锗含量不同，且所述有源结构位于所述沟道区内的部分的材料与所述应力源结构的材料中锗含量的差值的绝对值大于等于20%、且小于等于50%。
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