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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116210086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052027.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由合田健太;野中裕介;萩野勇志设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：单元部2的沿着一个方向的长度设为第2杂质区域14的沿着一个方向的长度，第2杂质区域用接触区域14b从单元部1延伸设置至外周部2。并且，设第2杂质区域用接触区域14b的延伸设置到外周部2的部分的沿着一个方向的长度为突出长度d，设第2杂质区域14的沿着一个方向的长度为第2杂质区域长度A，突出长度d相对于第2杂质区域长度A的比即dA为0.1以下。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，形成有具有双栅极的沟槽栅构造的半导体元件，其特征在于， 具备： 单元部，形成有上述半导体元件；以及 外周部，将上述单元部包围， 上述单元部具有主单元区域、以及流过比流过上述主单元区域的电流少的电流且与上述主单元区域结构相同的感测单元区域， 上述主单元区域及上述感测单元区域具有： 半导体衬底，具有第1导电型的漂移层； 第2导电型的第1杂质区域，形成在上述漂移层上； 第1导电型的第2杂质区域，形成在上述第1杂质区域内的该第1杂质区域的表层部，杂质浓度比上述漂移层高； 多个上述沟槽栅构造，在以一个方向为长度方向且从上述第2杂质区域将上述第1杂质区域贯通而达到上述漂移层的呈条状配置的多个栅极沟槽内分别隔着绝缘膜依次层叠屏蔽电极、中间绝缘膜以及栅极电极而被设为上述双栅极； 接触沟槽，形成在上述沟槽栅构造之间，以上述一个方向为长度方向，从上述单元部延伸设置到上述外周部，并且将上述第2杂质区域贯通而达到上述第1杂质区域； 第2杂质区域用接触区域，沿着上述接触沟槽的壁面而形成，杂质浓度比上述第2杂质区域高； 第1导电型或第2导电型的高浓度层，隔着上述漂移层而形成在上述第1杂质区域的相反侧，杂质浓度比上述漂移层高； 层间绝缘膜，配置在上述沟槽栅构造、上述第1杂质区域以及上述第2杂质区域之上，形成有与上述接触沟槽相连的接触孔； 第1电极，经由上述接触孔及上述接触沟槽而与上述第2杂质区域用接触区域及上述第1杂质区域电连接；以及 第2电极，与上述高浓度层电连接， 上述单元部的沿着上述一个方向的长度被设为上述第2杂质区域的沿着上述一个方向的长度， 上述第2杂质区域用接触区域从上述单元部延伸设置至上述外周部， 设上述第2杂质区域用接触区域的延伸设置到上述外周部的部分的沿着上述一个方向的长度为突出长度d，设上述第2杂质区域的沿着上述一个方向的长度为第2杂质区域长度A，突出长度d相对于上述第2杂质区域长度A的比即dA为0.1以下。

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