珠海市艾尔德光通讯技术有限公司郑学彦获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海市艾尔德光通讯技术有限公司申请的专利一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116224675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310067477.0，技术领域涉及：G02F1/225；该发明授权一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法是由郑学彦;魏红振;苗荣生;李泽彬;彭羽;万里威设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法，所述调制器包括硅基底层，所述硅基底层上覆设有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层中嵌设有第一共面波导电极，所述第一二氧化硅层上覆设有波导层，所述第一共面波导电极和所述波导层接触连接；所述波导层背离所述第一二氧化硅层的表面设有第二共面波导电极，所述波导层和所述第二共面波导电极二者形成的空隙中涂覆有第二二氧化硅层；其中，所述第一共面波导电极和所述第二共面波导电极供于施加同频同相的电压信号。
本发明授权一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法在权利要求书中公布了：1.一种马赫曾德尔电光调制器，其特征在于： 所述调制器包括硅基底层10，所述硅基底层10上覆设有第一二氧化硅层20，所述第一二氧化硅层20中嵌设有第一共面波导电极40，所述第一二氧化硅层20上覆设有波导层30，所述第一共面波导电极40和所述波导层30接触连接；所述波导层30背离所述第一二氧化硅层20的表面设有第二共面波导电极50，所述波导层30和所述第二共面波导电极50二者形成的空隙中涂覆有第二二氧化硅层60； 其中，所述第一共面波导电极40和所述第二共面波导电极50供于施加同频同相的电压信号。
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