上海芯链微电子科技有限公司周耀获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯链微电子科技有限公司申请的专利高精度时序产生电路及芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116230041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310104024.0,技术领域涉及:G11C7/22;该发明授权高精度时序产生电路及芯片是由周耀;郭璐;陈建忠;于立明;朱恺设计研发完成,并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本高精度时序产生电路及芯片在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高精度时序产生电路及芯片,该电路包括:电流源偏置电路和延时电路;所述电流源偏置电路,用于产生偏置电流及钳位电压;所述延时电路,用于输入时钟信号,并通过所述偏置电流对电容充放电方式对所述时钟信号进行延时,并控制输出的延时信号的翻转电平为所述钳位电压。利用本发明方案,可以产生精准的时钟信号,满足对超高速闪存内部读取时序的精准控制。
本发明授权高精度时序产生电路及芯片在权利要求书中公布了:1.一种高精度时序产生电路,其特征在于,所述电路包括:电流源偏置电路和延时电路; 所述电流源偏置电路,用于产生偏置电流及钳位电压;所述电流源偏置电路包括:偏置电流源和钳位电路;所述偏置电流源用于产生所述偏置电流;所述钳位电路用于根据所述偏置电流产生所述钳位电压;所述钳位电路包括:阈值电压产生模块和钳位电压产生模块; 所述阈值电压产生模块用于根据所述偏置电流产生阈值电压;所述阈值电压产生模块包括:第一NMOS管;所述第一NMOS管的漏极与所述偏置电流源连接,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的栅极与所述钳位电压产生模块连接; 所述钳位电压产生模块,用于产生与所述阈值电压相同的钳位电压; 所述延时电路,用于输入时钟信号,并通过所述偏置电流对电容充放电方式对所述时钟信号进行延时,并控制输出的延时信号的翻转电平为所述钳位电压;所述延时电路包括:镜像电流生成模块、充放电控制模块、电容、以及导向模块; 所述镜像电流生成模块,用于根据所述偏置电流产生镜像电流; 所述充放电控制模块,用于根据所述时钟信号及所述镜像电流对所述电容进行充放电; 所述导向模块,用于将所述电容上电压作为输出信号进行输出,并控制所述输出信号的翻转电平为所述钳位电压;所述导向模块包括:第三NMOS管和第一PMOS管;所述第一PMOS管的源极与所述镜像电流生成模块连接,所述第三NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接,并与所述电容连接,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接,并且连接节点作为所述导向模块的输出端;所述第三NMOS管与所述第一NMOS管相匹配。
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