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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211650869.1，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种发光二极管及制备方法是由黎国昌;陈浩;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及制备方法，二极管包括应力释放层和量子阱层保护结构；量子阱层保护结构包括依次沉积的至少一个循环结构，每个循环结构包括：在应力释放层上依次沉积的AlGaN垒层、第一AlN保护层、第二AlN保护层、第一AlInN保护层、InGaN阱层、第二AlInN保护层、第三AlN保护层和第四AlN保护层，第一AlInN保护层和第二AlInN保护层中的In组分含量均从远离InGaN阱层至靠近InGaN阱层的方向逐渐增大。通过设置第一AlInN保护层和第二AlInN保护层，保证InGaN阱层中含有较高的In组分含量，以获得高质量高发光率的红黄光InGaN阱层，保证发光二极管的发光效率。

本发明授权一种发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括 应力释放层； 沉积在所述应力释放层上的量子阱层保护结构； 所述量子阱层保护结构包括依次沉积的至少一个循环结构，每个所述循环结构包括： 在所述应力释放层上依次沉积的AlGaN垒层、第一AlN保护层、第二AlN保护层、第一AlInN保护层和InGaN阱层，其中，所述第一AlInN保护层中的In组分含量从远离所述InGaN阱层至靠近所述InGaN阱层的方向逐渐增大； 在所述InGaN阱层上依次沉积的第二AlInN保护层、第三AlN保护层和第四AlN保护层，其中，所述第二AlInN保护层中的In组分含量从远离所述InGaN阱层至靠近所述InGaN阱层的方向逐渐增大； 所述第一AlInN保护层的沉积温度为700～800℃，沉积厚度为1～20A； 所述第一AlInN保护层中的Al组分含量从远离所述InGaN阱层至靠近所述InGaN阱层的方向逐渐减小； 所述第二AlInN保护层的沉积温度为700～800℃，沉积厚度为1～20A； 所述第二AlInN保护层中的Al组分含量从远离所述InGaN阱层至靠近所述InGaN阱层的方向逐渐减小。

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