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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310124448.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;李志虎;张秀萍设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子领域，在衬底上由下至上依次包括缓冲层、N限制层、AlGaAs下波导层、AlGaAs下垒层、GaAsP量子阱层、GaAs垒层一、InGaAs量子阱层、GaAs垒层二、GaAsP量子阱层、AlGaAs上垒层、AlGaAs上波导层、P限制层和GaAs欧姆接触层。本发明的在外延结构量子阱前后分别增加一个远大于该禁带宽度的量子阱，仅采用10nm以内的方式完成量子阱的应变补偿，并且利用折射率差让光场进一步集中在InGaAs量子阱中，提高了量子阱的光增益；本发明完全弥补了宽波导结构在高功率的前提下，发散角和光束质量差的问题。

本发明授权一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应变补偿量子阱结构的GaAs大功率激光器外延片，其特征在于，在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层、Alx1Ga1-x1AsN限制层、Alx2Ga1-x2As下波导层、Alx3Ga1-x3As下垒层、GaAsx4P1-x4量子阱层、GaAs垒层一、Inx5Ga1-x5As量子阱层、GaAs垒层二、GaAsx6P1-x6量子阱层、Aly1Ga1-y1As上垒层、Aly2Ga1-y2As上波导层、Aly3Ga1-y3AsP限制层和GaAs欧姆接触层，其中0.2≤x1≤0.5,0.2≤x2≤0.3,0.1≤x3≤0.4,0.7≤x4≤0.9,0.1≤x5≤0.3,0.7≤x6≤0.9,0.1≤y1≤0.4,0.2≤y2≤0.3,0.2≤y2≤0.3； Inx5Ga1-x5As量子阱层的厚度为5-10nm，GaAsx4P1-x4量子阱层和GaAsx6P1-x6量子阱层的厚度均为5-10nm。

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