山东华光光电子股份有限公司陈康获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111523649.8，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法是由陈康;刘琦;肖成峰;孙春明;秦鹏设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法，欧姆接触层下方设置有脊条，脊条的两侧形成肩槽，肩槽的一侧设置有深沟预留缓冲区，深沟预留缓冲区的底部开设有深沟，深沟的上边缘且位于深沟预留缓冲区底部的区域为氧化物预留区；氧化物预留区上设置有氧化物预留层；欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面均包覆有绝缘层；或欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面及深沟的表面均包覆有绝缘层；绝缘层的上表面设置有P面金属。本发明提供的技术方案能够对光斑进行优化，有效减少在脊区产生的模式数量，并对产生的激光的高阶模式进行过滤，从而可以有效的优化光斑。
本发明授权一种光斑优化的半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光斑优化的半导体激光器，其特征在于，包括自下到上依次设置的衬底、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和欧姆接触层； 欧姆接触层下方设置有脊条，脊条的两侧形成肩槽，肩槽的一侧设置有深沟预留缓冲区，脊条与深沟预留缓冲区之间成一定角度；肩槽的底部设置在P限制层上，肩槽的深度与深沟预留缓冲区的深度相同； 深沟预留缓冲区的底部开设有深沟，深沟的上边缘且位于深沟预留缓冲区底部的区域为氧化物预留区，氧化物预留区上设置有氧化物预留层； 欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面均包覆有绝缘层； 或欧姆接触层上的部分区域、肩槽的表面、深沟预留缓冲区的表面及深沟的表面均包覆有绝缘层； 绝缘层的上表面设置有P面金属。
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