山东华光光电子股份有限公司刘飞获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111551276.5，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法是由刘飞;张新;于军设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP下过渡层、下限制层一、下限制层二、下波导层、GaInAsP量子阱、上波导层、上限制层一、上限制层二、GaInP上过渡层和GaAs帽层；本发明通过非对称限制层及波导层设计，实现光场向N限制层偏移，减少吸收损耗，降低阈值电流；通过在N、P限制层中插入高折射率层，集中光场，提高光限制因子，降低阈值电流；通过降低光场集中区域掺杂浓度，降低吸收损耗。
本发明授权一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高光限制因子的AlGaInP红光半导体激光器件，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下限制层一、Alx2Ga1-x2y2In1-y2P下限制层二、Alx3Ga1-x3y3In1-y3P下波导层、GaInAsP量子阱、Alx4Ga1-x4y4In1-y4P上波导层、Alx5Ga1-x5y5In1-y5P上限制层一、Alx6Ga1-x6y6In1-y6P上限制层二、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层； 其中，0.6≤x1≤1,0.4≤y1≤0.6；0.2≤x2≤0.5,0.4≤y2≤0.6；0≤x3≤0.15,0.4≤y3≤0.6；0≤x4≤0.15,0.4≤y4≤0.6；0.2≤x5≤0.5,0.4≤y5≤0.6；0.6≤x6≤1,0.4≤y6≤0.6；x1=x6＞x5＞x2。
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