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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111576883.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT器件及其制造方法是由林敏之;刘伟;刘磊;袁愿林设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括元胞区和终端区，元胞区包括：p型集电极区；位于p型集电极区之上的n型半导体层；位于n型半导体层内的若干个栅沟槽；位于栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区；位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有n型电荷存储区，n型电荷存储区设置于p型体区邻近p型集电极区的一侧，且部分屏蔽栅之间未设有n型电荷存储区。

本发明授权IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.IGBT器件，其特征在于，包括元胞区和终端区，所述元胞区包括： p型集电极区； 位于所述p型集电极区之上的n型半导体层； 位于所述n型半导体层内的若干个栅沟槽，位于所述栅沟槽的下部内的屏蔽栅和位于所述栅沟槽的上部内的栅极，所述栅极、所述屏蔽栅与所述n型半导体层之间互相绝缘隔离； 位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区； 位于所述n型半导体层内且介于相邻的所述屏蔽栅之间的n型电荷存储区，其中部分所述屏蔽栅之间设有所述n型电荷存储区，所述n型电荷存储区设置于所述p型体区邻近所述p型集电极区的一侧，且部分所述屏蔽栅之间未设有所述n型电荷存储区； 所述屏蔽栅位于所述栅沟槽的下部内并向上延伸至所述栅沟槽的上部内； 所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度； 所述栅极位于所述栅沟槽的上部超出所述栅沟槽的下部的区域内； 所述n型电荷存储区位于所述栅极的下方，部分所述栅极的下方设有所述n型电荷存储区，部分所述栅极的下方未设有所述n型电荷存储区；同一栅沟槽中包括屏蔽栅以及分别设置于屏蔽栅两侧的两个栅极，所述n型电荷存储区位于同一屏蔽栅两侧的两个栅极下方。

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