徐州金沙江半导体有限公司胡旭宏获国家专利权
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龙图腾网获悉徐州金沙江半导体有限公司申请的专利一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310129810.6，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法是由胡旭宏设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法，包括衬底层，衬底层上依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铝镓氮势垒层，帽层，通过清洗，光刻和刻蚀工艺，在帽层开窗口至铝镓氮势垒层，用电子束蒸发台或离子溅射机沉积源漏金属，漏源金属依次由合金化接触金属、阻挡层金属和防氧化保护层金属构成，合金化接触金属为ScTiAl的多层金属合金结构，漏源金属用快速退火炉在氮气氛围下高温退火，AlGaN与ScTiAl合金化获得欧姆接触，本发明提出的欧姆接触可以在现有工艺基础上降低欧姆接触电阻20%～50%，降低欧姆接触退火温度50‑100度，提高表面平整度，从而相应提高欧姆接触的稳定性和可靠性，以及器件工作电流和输出功率。
本发明授权一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件欧姆接触的制造方法，其特征在于：包括衬底层1，衬底层1上依次外延生长有缓冲层2、氮化镓沟道层3、氮化铝隔离层4、铝镓氮势垒层5，帽层6；通过清洗，光刻和刻蚀工艺，在帽层6开窗口至铝镓氮势垒层5，用电子束蒸发台或离子溅射机沉积源漏金属，漏源金属依次由合金化接触金属7、阻挡层金属8和防氧化保护层金属9构成，合金化接触金属7为ScTiAl的多层金属合金结构，漏源金属用快速退火炉在氮气氛围下高温退火，AlGaN与ScTiAl合金化获得欧姆接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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