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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116390621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310084212.1，技术领域涉及：H10N10/17；该发明授权一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构是由陈玉;王子怡;李昌熹;侯潇涵;钟辉;王双;成永红设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构，包括硅基底，在硅基底上有支撑层、吸收层、热电偶对、铝导线、铝电极和单晶硅材料结构。采用双层热电偶堆叠结构提高器件占空比，在保持一层结构尺寸不变的情况下可铺设更多的热电偶对，提高了探测器的响应率。采用圆形结构符合温度以吸收层中心点为圆心呈径向扩散向周围递减的分布趋势，达到热电偶对的热端能更接近温度较高区域且热电偶对热端温度更均匀一致，提高了探测器的响应率。实现了将远紫外紫外辐射源的辐射能量转化为输出温差电动势，通过建立傅里叶定律以及塞贝克效应的数学模型进行计算，从而测得远紫外紫外辐射源的热流量密度。

本发明授权一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构在权利要求书中公布了：1.一种基于MEMS的远紫外紫外探测器校准用热电堆结构，包括硅基底1，其特征在于，在硅基底1上有支撑层2、吸收层3、热电偶对4、铝导线5、铝电极6和单晶硅材料结构7，其中： 所述的硅基底1为内半径300μm，外半径500μm，厚度300μm的圆环柱状体； 所述的支撑层2位于硅基底1之上，由下至上分别为二氧化硅膜、氮化硅膜和二氧化硅膜三层结构，其中，二氧化硅膜的底面半径500μm，厚度0.6μm，氮化硅膜的底面半径500μm，厚度0.4μm，二氧化硅膜的底面半径500μm，厚度0.3μm； 所述的吸收层3在支撑层2之上，且与支撑层2的中心点重合，该吸收层3为底面半径150μm，厚度1.5μm的氮化硅膜，用于将辐射能量转换为温度升高； 所述的热电偶对4呈双层排列结构，其中，下层热电偶材料层与支撑层2相接，而上层热电偶材料层则位于距离支撑层2上方的1μm处，两层热电偶材料层厚度均为0.3μm，两层热电偶材料层中的各个结构的横截面均为扇环形，内半径150μm，外半径450μm，圆心角2°，同时同一层中相邻的热电偶材料结构之间相距的圆心角皆为1°，因此在一层中铺设120个热电偶材料结构，上下两层热电偶材料结构位置对应相同，将位于同一位置对应的上下两层热电偶材料结构视为一对热电偶，共排列120对热电偶；所述热电偶由N型半导体材料和P型半导体材料制成； 所述的热电偶对4通过铝导线5串联连接，位于热电偶热端处的120个铝导线横截面为扇环形，内半径148μm，外半径150μm，厚度1.3μm，圆心角2°，位于热电偶冷端的铝导线的横截面为扇环形，内半径450μm，外半径452μm，厚度0.3μm，圆心角5°； 所述的铝电极6用于测量输出电势，两个铝电极6分别与两个相邻的上层热电偶材料结构相接； 所述的单晶硅材料结构7在支撑层2之上，横截面为圆环，其内半径450μm，外半径500μm，厚度1.5μm。

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