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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116401981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310328365.6，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法是由刘胜;籍超越;王诗兆;东芳;郭宇铮;蔡新添设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法，包括以下步骤：S1：测试后道工艺介质材料的孔隙率、孔径及孔隙分布；S2：在微观尺度上，建立介质材料的分子模型，计算孔隙相关的电学、结构、力学、热学参量；S3：在宏观尺度上，进行电‑热‑固多物理场耦合的有限元仿真计算，模拟后道工序互连工艺过程电场、温度场、应力和变形场、宏观孔洞的形成与演化；S4：基于多尺度模拟仿真结果，分析孔隙对电、结构、热、力学性能和制造工艺过程的影响。本发明通过多尺度多物理场耦合仿真，建立介质材料‑孔隙‑工艺‑性能的量化关系，以评价集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响，指导介质材料及结构的设计。

本发明授权集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法，用于对后道工艺互连结构制备过程中介质材料的微观孔隙分布及演化、宏观孔洞和裂纹的形成与演化、应力与变形进行多尺度仿真模拟，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1：测试后道工艺介质材料的孔隙率、孔径及孔隙分布； S2：在微观尺度上，基于量子力学理论与分子动力学理论，建立介质材料的原子模型，得到孔隙的分布及演化、应力应变响应、动态裂纹扩展过程、温度场，计算得到电学、结构、力学、热学参量； S3：在宏观尺度上，进行电-热-固多物理场耦合有限元仿真计算，建立互连材料与结构的有限元模型，模拟后道工艺互连结构的电场、温度场、应力场和结构变形，求解得到材料的宏观介电性能、导线间介质材料的温度衰减状态、互连结构界面的粘附性能和制造工艺过程的结构稳定性； S4：基于多尺度多物理场模拟仿真结果，建立孔隙与电、热、力学性能的量化关联模型，分析微观孔隙和宏观孔隙的形成和演化，该结果反馈控制多尺度仿真模型的建立与材料的设计；建立后道工艺介质材料性能数据库、工艺参数数据库。

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