买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利图形化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116403896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211159696.3，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权图形化方法是由王伯文;杨渝书设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图形化方法，包括：提供一衬底；形成第一芯轴图形；形成第一侧墙，第一侧墙两侧的第一隔离层具有高度差；形成填充第一侧墙的间隙的第三隔离层，并形成第三芯轴隔离图形；形成第二芯轴图形；形成第二侧墙，第二侧墙两侧的第二隔离层具有高度差；以及，形成填充第二侧墙之间间隙的第四隔离层，并去除第二侧墙以形成的第四芯轴隔离图形，以第四芯轴隔离图形作为掩模图形。本发明中，利用第三隔离层填充第一侧墙两侧以此消除第一隔离层的高度差，利用第四隔离层填充第二侧墙两侧以此消除第二隔离层的高度差，以便于形成形貌较佳的掩模图形，降低图形化时的工艺调试难度。

本发明授权图形化方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底由下至上依次形成有第二隔离层、第二芯轴层、第一隔离层以及第一芯轴层； 形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩膜，刻蚀所述第一芯轴层形成第一芯轴图形； 形成覆盖所述第一芯轴图形以及所述第一隔离层的第一侧墙材料层，刻蚀去除所述第一芯轴图形的顶壁及所述第一隔离层上的第一侧墙材料层，保留所述第一芯轴图形侧壁的第一侧墙材料层以形成第一侧墙，所述第一侧墙两侧的第一隔离层具有高度差； 形成填充所述第一侧墙的间隙的第三隔离层，并去除所述第一侧墙以形成第三芯轴隔离图形； 以所述第三芯轴隔离图形为掩模，蚀刻所述第二芯轴层形成第二芯轴图形； 形成覆盖所述第二芯轴图形以及所述第二隔离层的第二侧墙材料层，并刻蚀去除所述第二芯轴图形的顶壁及所述第二隔离层上的第二侧墙材料层，保留所述第二芯轴图形侧壁的第二侧墙材料层以形成第二侧墙，所述第二侧墙两侧的第二隔离层具有高度差；以及， 形成填充所述第二侧墙之间间隙的第四隔离层，并去除所述第二侧墙以形成的第四芯轴隔离图形，以所述第四芯轴隔离图形作为掩模图形对所述衬底执行图形化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。