北京工业大学李冲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310205481.9，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片是由李冲;刘云飞;李官政;于书伟;高昕元;刘芮汐;王智勇设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，阵列尺寸为1×2；其包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元；第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层；第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔和两个水滴型出光孔均对称排布且孔间距小于激射波长。本发明的两激光在第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播，在通光孔内通过倏逝波形式垂直于氧化限制层向表面方向出射，两个激光发射单元发射的倏逝波在水滴尖端附近产生耦合，发出相干光。
本发明授权一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片在权利要求书中公布了：1.一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，其特征在于，包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元； 所述第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层，激光在所述第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播； 所述第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，所述第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔对称排布且尖端相对，通光孔尖端间距小于激射波长；两个水滴型出光孔对称排布且尖端相对，出光孔尖端间距小于激射波长，使所述第一激光发射单元与所述第二激光发射单元出射激光以倏逝波形式产生耦合，发出相干光。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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