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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于有机电化学晶体管的温度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116499598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310475945.8，技术领域涉及：G01K7/00；该发明授权一种基于有机电化学晶体管的温度传感器及其制备方法是由马伟;宣子怡;赵超设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于有机电化学晶体管的温度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于有机电化学晶体管的温度传感器及其制备方法，温度传感器包括衬底，以及设置在所述衬底之上的源极和漏极，在所述源极和所述漏极之上涂覆有PEDOT:PSS有机半导体薄膜层作为沟道，所述PEDOT:PSS有机半导体薄膜层之上设置有电解质，所述电解质与栅极接触。温度传感器的制备方法包括：制备PEDOT:PSS混合溶液；将衬底清洁干净，进行表面涂布预处理，再在衬底表面制备源极和漏极；将PEDOT:PSS混合溶液旋涂在源极和漏极的表面，得到有机半导体薄膜层沟道；在有机半导体薄膜层沟道上滴加电解质，将栅极与电解质相接触，得到基于有机电化学晶体管的温度传感器。本发明能够实现体温的实时精确监测。

本发明授权一种基于有机电化学晶体管的温度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有机电化学晶体管的温度传感器，其特征在于：包括衬底，以及设置在所述衬底之上的源极和漏极，在所述源极和所述漏极之上涂覆有PEDOT:PSS有机半导体薄膜层作为沟道，所述PEDOT:PSS有机半导体薄膜层之上设置有电解质，所述电解质与栅极接触； 漏极电流按照下式进行计算： 式中，W为沟道宽度，即PEDOT:PSS有机半导体薄膜层宽度；L为沟道长度，即PEDOT:PSS有机半导体薄膜层长度；d为PEDOT:PSS有机半导体薄膜层厚度；μ为空穴迁移率；C*为体积电容；VP为夹断电压；为有效栅极电压；为源漏电压； 式中，为栅极电容，为沟道电容，为栅极电压，为初始电解质电势，为电容比例系数； 引入电解质中的氧化还原反应及沟道中PSS阴离子带来的电场屏蔽效应进行电解质电势修正，电解质电势表达式修正为： 式中，为修正电解质电势，kB为玻尔兹曼常数，T为温度，q为基本电荷，c为电解质浓度，z为反应过程中转移的电子数，NPSS为PSS阴离子浓度； 有效栅极电压按照下式计算： 沟道电流随有效栅极电压的变化按下式进行计算： 式中，为跨导； 通过调控阳离子价态z、电解质浓度c、PSS阴离子浓度NPSS和与电容比例系数实现灵敏度调节； 所述源极和漏极的制备电极包括Au电极或Pt电极； 所述电解质采用10-4M~10-1M的NaCl水溶液； 所述栅极的制备电极包括AgAgCl电极、Au电极或Pt电极。

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