合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司钱娟获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利像素驱动电路、驱动基板及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116543678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310418841.3,技术领域涉及:G09G3/20;该发明授权像素驱动电路、驱动基板及显示装置是由钱娟;熊雄;李佑路设计研发完成,并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素驱动电路、驱动基板及显示装置在说明书摘要公布了:本申请提供一种像素驱动电路、驱动基板及显示装置;所述方法包括:场效应晶体管,包括栅极和源极;漂移修正组件,电连接于所述栅极和所述源极之间;所述漂移修正组件被配置为,使所述栅极到所述源极之间产生栅源电压差,以修正所述场效应晶体管的阈值电压的漂移。本方案可以在栅极和源极之间维持在等同于导通压差的栅源电压差,从而实现维持阈值电压保持一定程度的正偏,避免了阈值电压过于负偏的现象。
本发明授权像素驱动电路、驱动基板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括: 场效应晶体管,包括栅极和源极; 漂移修正组件,电连接于所述栅极和所述源极之间;所述漂移修正组件被配置为,使所述栅极到所述源极之间产生栅源电压差,以修正所述场效应晶体管的阈值电压的漂移; 所述漂移修正组件包括:二极管;其中,所述二极管设置有空穴-电子型半导体; 所述空穴-电子型半导体,包括:空穴区和电子区;所述空穴区与所述栅极电连接,所述电子区与所述源极电连接; 所述二极管被配置为,在所述栅源电压差达到预置的导通压差时导通; 所述场效应晶体管还被配置为,抑制所述场效应晶体管中所述栅极一侧的空穴出现排斥现象,以维持所述栅源电压差大于零;以及,在所述栅源电压差大于零的状态下,保持所述阈值电压大于零,以减小阈值电压的负漂移。
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