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龙图腾网获悉东南大学申请的专利利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310439446.3，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法是由张辉;毛飞龙;侯永琪;朱一凡;殷国栋;倪中华设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米级薄膜电学性能测试技术领域，特别是涉及一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法。包括如下步骤：S1：在待测试薄膜表面制备电极，并与待测试薄膜组成电容器；S2：使用探针台将电极与网络分析仪进行连接，并在连接前对电路进行阻抗匹配；S3：测量待测薄膜在不同频率下的谐振频率及该谐振频率下的S21参数；S4：利用S3测试出的S参数，计算出不同频率下薄膜的电容与Q值；S5：利用S4所得出的电容，计算出不同频率下薄膜的介电常数。本发明具有可以同时测出薄膜Q值的优势；并且可以在GHz频率下测试，具有测试频率高的优势。本发明实现了对纳米级薄膜介质介电常数和Q值的同时测试，具有测试结果准，测试频率高的特点。

本发明授权利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用网络分析仪测试纳米级薄膜介电常数与Q值的方法，其特征在于，包括以下具体步骤： S1：在待测试薄膜表面制备电极，并与待测试薄膜组成电容器； S2：使用探针台将电极与网络分析仪进行连接，并在连接前对电路进行阻抗匹配；网络分析仪在与电极连接之前，进行开路校准、短路校准和负载校准；所制备的电容器与网络分析仪采用双端口并联直通法进行连接； S3：在信号屏蔽箱内测量待测薄膜在100k-10GHz的谐振频率及该谐振频率下的S21参数； S4：利用S3测试出的S参数，计算出不同频率下薄膜的电容与Q值； S5：利用S4所得出的电容，计算出不同频率下薄膜的介电常数；具体的利用阻抗计算公式计算出器件阻抗，利用Q值计算公式带入阻抗计算出Q值，利用电容计算公式带入阻抗计算出电容，利用保角映射公式带入电容计算出介电常数，计算公式如下： 其中S21为测出的S21参数，imag{Z}与real{Z}分布表示阻抗的虚部与实部，表示基底的介电常数，L为电极长度，W为电极宽度，g为电极间距，h为薄膜厚度，K是关于g与W的函数，其表达式如下所示： 。

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