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法国国家科学研究中心;巴黎赛特大学;巴黎-萨克雷大学弗朗西斯科·马内戈蒂获国家专利权

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龙图腾网获悉法国国家科学研究中心;巴黎赛特大学;巴黎-萨克雷大学申请的专利光电子元件、激光源、光学放大器和光电子电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116601840B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180077191.X,技术领域涉及:H01S5/11;该发明授权光电子元件、激光源、光学放大器和光电子电路是由弗朗西斯科·马内戈蒂;多里昂·桑切斯;法布里斯·拉伊内里设计研发完成,并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

光电子元件、激光源、光学放大器和光电子电路在说明书摘要公布了:本发明涉及一种适用于集成到光电子电路中的光电子元件1,元件1包括:III‑V半导体膜,其包括:·称为P层的P掺杂层2;·沉积在P层2上的本征层3;和·沉积在本征层3上的称为N层的N掺杂层;‑称为PhC波导的非对称光子晶体波导6、16、26,在一个纵向侧上通过二维光子晶体且在另一纵向侧上通过全内反射面形成在膜中;‑电接触件10、11,其在膜的平面中分别布置在PhC波导6、16、26的任一侧上,适于相对于膜横向地将电荷载流子注入到PhC波导6、16、26中;层2、3、4被布置为使得本征层和N层3、4仅部分地覆盖P层2,形成从P层2的表面垂直地延伸的侧面5,侧面5的部分形成PhC波导的全内反射面;PhC波导6、16、26被布置为在至少一个耦合区域中倏逝地耦合到无源半导体波导12。

本发明授权光电子元件、激光源、光学放大器和光电子电路在权利要求书中公布了:1.一种光电子元件1,适用于集成到光电子电路中,该元件1包括: -III-V半导体膜,包括: •称为p层的p掺杂层2, •沉积在所述p层2上的本征层3,以及 •沉积在所述本征层3上的称为n层的n掺杂层4; -称为PC波导的非对称光子晶体波导6、16、26,其在一个纵向侧上通过二维光子晶体并且在另一纵向侧上通过全内反射面形成在所述膜中; -电接触件10、11,其在所述膜的平面中分别布置在所述PC波导6、16、26的一侧和另一侧上,适于相对于所述膜横向地将电荷载流子注入到所述PC波导6、16、26中; 所述本征层3和所述n层4仅部分地覆盖所述p层2,形成从所述p层2的表面垂直延伸的侧面5,所述侧面5的一部分形成所述PC波导的全内反射面; 所述PC波导6、16、26被布置为在至少一个耦合区域中倏逝地耦合到无源半导体波导12。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人法国国家科学研究中心;巴黎赛特大学;巴黎-萨克雷大学,其通讯地址为:法国巴黎;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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