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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116661700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310729348.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法是由孙义;王璞;李瑞东设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法在说明书摘要公布了：本发明本发明涉及存储器领域，具体涉及一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，包括以下步骤，S1获取block的失败比特数；S2比较每个wordline的失败比特数，并确定在读次数增多过程中产生一致性偏离的wordline部分；S3对与读次数产生一致性偏离的wordline获取较差wordline；S4判断所获取的较差wordline是否使用wordline分组；S5若是，则对使用了wordline分组中的wordline分布依据特性进行重新分组；若否，则无须操作；S6对Bad组的wordline进行随机数据写入NAND，对Normal组进行用户数据顺序写入NAND，对未使用wordline分组的wordline进行顺序写入NAND；本发明解决了NAND因PR及BR次数阈值较低而性能下降的问题，本发明消除NAND自身wordline差异性导致的错误，从而提升PR及BR次数，进而提升NAND的性能。

本发明授权一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1以若干个NAND为样本，根据不同生命周期、不同数据保持时间条件下的读次数极限值，获取block的失败比特数；所述读次数为pageread的次数或blockread的次数； 步骤S1还包括以下步骤， S11判断是否满足擦写温度； S12若是，则进行擦写；若否，则进行温度调节并继续执行步骤S11； S13判断是否擦写完成； S14若是，则判断是否满足数据保持温度；若否，则进行温度调节并判断是否满足数据保持温度； S15数据保持时间到达后，读取读次数递增的block； S16读取block的失败比特数； S2比较每个wordline的失败比特数，并确定在读次数增多过程中产生一致性偏离的wordline部分； S3依据所有wordline的失败比特数分布对与读次数产生一致性偏离的wordline获取较差wordline； S4判断所获取的较差wordline是否使用wordline分组； S5若是，则对使用了wordline分组中的wordline分布依据特性进行重新分组； 所述分组包括Normal组和Bad组； 若否，则无须操作； 所述步骤S5对wordline进行重新分布所依据的特性为低密度奇偶校验码的纠错能力； S6对Bad组的wordline进行随机数据写入NAND，对Normal组进行用户数据顺序写入NAND，对未使用wordline分组的wordline进行顺序写入NAND。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东华芯半导体有限公司，其通讯地址为：250101 山东省济南市高新区经十东路汉峪金谷A2-3第16层1601室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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