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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种微机械加工的无自热效应温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116754089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310735783.7，技术领域涉及：G01K7/34；该发明授权一种微机械加工的无自热效应温度传感器是由黄庆安;杨国鑫;韩磊设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微机械加工的无自热效应温度传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种微机械加工的无自热效应温度传感器，包括半导体衬底、绝缘介质层、多层膜悬臂梁结构以及引线键合区构成。多层膜悬臂梁结构从上到下分别由金属薄膜、P+型半导体薄膜和P型半导体薄膜组成，其包括两个互相对称的弓形悬臂梁，每个悬臂梁由长轴和短轴悬臂梁相连形成，其两端固定并通过引线键合区引出。两个弓形悬臂梁形成平行平板电容，构成传感器的温度敏感电容。当温度变化时，因悬臂梁长轴和短轴的形变量不同，使得悬臂梁在水平面内偏转，又因两个悬臂梁呈对称布局排列，使得两个悬臂梁会向相反方向运动，最终引起平行平板电容变化。同时因电容不存在直流功耗，且测量时只需使用交流小信号，因此传感器不受自加热效应影响，精度高。

本发明授权一种微机械加工的无自热效应温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种微机械加工的无自热效应温度传感器，其特征在于：包括半导体衬底1、设置在半导体衬底1表面的绝缘介质层2、第一多层膜悬臂梁结构3、第二多层膜悬臂梁结构4、第一引线键合区5、第二引线键合区6： 所述的第一多层膜悬臂梁结构3包括从上到下设置的金属薄膜13、P+型半导体薄膜14和P型半导体薄膜15，所述的第一多层膜悬臂梁结构3的一端与所述的第一引线键合区5连接形成引线固定端，所述的第一多层膜悬臂梁结构3的另一端与所述的绝缘介质层2连接形成引线固定端7，所述第一多层膜悬臂梁结构3在垂直方向上与所述半导体衬底1之间形成间隙； 所述的第二多层膜悬臂梁结构4从上到下分别由金属薄膜13、P+型半导体薄膜14和P型半导体薄膜15组成，所述的第二多层膜悬臂梁结构4的一端与所述的第二引线键合区6连接形成引线固定端，所述的第二多层膜悬臂梁结构4的另一端与所述绝缘介质层2连接形成引线固定端8，所述第二多层膜悬臂梁结构4在垂直方向上与所述半导体衬底1之间形成间隙；所述的第一多层膜悬臂梁结构3与所述的第二多层膜悬臂梁结构4保持在同一水平面； 所述的第一多层膜悬臂梁结构3为弓形结构，由长轴悬臂梁9和短轴悬臂梁10相连接组成，所述的第二多层膜悬臂梁结构4为弓形结构，由长轴悬臂梁11和短轴悬臂梁12相连接组成；两个互相对称的弓形悬臂梁形成平行平板电容。

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