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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种泄露波导结构的半导体激光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116799619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310714866.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种泄露波导结构的半导体激光器件是由刘飞;李志虎;陈康设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种泄露波导结构的半导体激光器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种泄露波导结构的半导体激光器件，该器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P下限制层、Alx2Ga1‑x2y2In1‑y2P模式扩展层、Alx3Ga1‑x3y3In1‑y3P下限制层、Alx4Ga1‑x4y4In1‑y4P下垒层、Alx5Ga1‑x5y5In1‑y5P下波导层、GaAsx6P1‑x6量子阱、Alx7Ga1‑x7y6In1‑y6P上波导层、Alx8Ga1‑x8y7In1‑y7P上垒层、Alx9Ga1‑x9y8In1‑y8P上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层。上述的激光器采用非对称大光腔结构设计，能够压缩光场，降低损耗，提高输出功率。

本发明授权一种泄露波导结构的半导体激光器件在权利要求书中公布了：1.一种泄露波导结构的半导体激光器件，其特征在于，该器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下限制层、Alx2Ga1-x2y2In1-y2P模式扩展层、Alx3Ga1-x3y3In1-y3P下限制层、Alx4Ga1-x4y4In1-y4P下垒层、Alx5Ga1-x5y5In1-y5P下波导层、GaAsx61-x6量子阱、Alx7Ga1-x7y6In1-y6P上波导层、Alx8Ga1-x8y7In1-y7P上垒层、Alx9Ga1-x9y8In1-y8P上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层； 其中：0.1≤x1≤0.5,0.4≤y1≤0.6；0≤x2≤0.4,0.4≤y2≤0.6；0.1≤x3≤0.5,0.4≤y3≤0.6；0.2≤x4≤0.8,0.4≤y4≤0.6；0≤x5≤0.2,0.4≤y5≤0.6；0.85≤x6≤0.95；0≤x7≤0.2,0.4≤y6≤0.6；0.2≤x8≤0.8,0.4≤y7≤0.6；0.3≤x9≤0.7,0.4≤y8≤0.6；且所述x9＞x1、x9＞x3、x7≥x5；所述上波导层和下波导层的厚度总和≥1μm；所述x2≤x1、x2≤x3。

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