买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北隆中实验室申请的专利一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116815157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310520672.4，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法是由张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法，通过精确调控前驱体的传质过程，最终获得了厚度≤10nm，横向尺寸≥500μm的单晶铋基钙钛矿材料，解决了现有方法制得的二维铋基钙钛矿材料单晶尺寸较小且厚度不可控的问题。所述方法包括以下步骤：将两种前驱体物质分别放置于双温区管式炉的两个温区，采用云母基体作为衬底，向管式炉内通入氩气和氢气，分别将管式炉的两个温区升温至预定温度，反应，即可得到大尺寸二维铋基钙钛矿材料。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过改变管式炉两个温区的温度和载气流量，即可控制二维铋基钙钛矿材料的厚度和形貌结构。

本发明授权一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将第一前驱体和第二前驱体分别放于管式炉中的温区I和温区II中，将云母衬底放于第二前驱体的下游区域，通入氩气和氢气，将管式炉内空气排净； 其中，所述第一前驱体为BiI3，第二前驱体为KI、CsI或RbI中的一种；氩气的流量为10-30sccm，氢气的流量为5-15sccm；第一前驱体位于管式炉温区I的正中央，第二前驱体位于管式炉温区II的正中央，云母衬底与第二前驱体的距离为5-30mm； 2待管式炉内空气排净后，升温管式炉，使得管式炉中温区I的温度为250-350℃，温区II的温度为370-500℃，调节氩气流量为100-300sccm、氢气流量为20-50sccm，将第一前驱体和第二前驱体输送至云母衬底表面，反应，待反应结束后，立即关闭管式炉加热，并将炉体滑动至远离前驱体的位置，防止余热继续使前驱体挥发，得二维铋基钙钛矿材料； 当二维铋基钙钛矿材料的形貌为平面状时，其尺寸为100-1000μm，厚度为5-50nm；当二维铋基钙钛矿材料的形貌为纳米线状时，其长度为200-2000μm，宽度为2-10μm，高度为50-100nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北隆中实验室，其通讯地址为：441138 湖北省襄阳市襄州区东津新区鹿鸣路101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。