微芯片技术股份有限公司W·罗珀获国家专利权
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龙图腾网获悉微芯片技术股份有限公司申请的专利CAN总线发射器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116830535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202280014011.8,技术领域涉及:H04L12/413;该发明授权CAN总线发射器是由W·罗珀设计研发完成,并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本CAN总线发射器在说明书摘要公布了:一种CAN总线发射器具有用于接收传输数据信号的输入,以及耦合到CAN总线的CANH输出和CANL输出。该CAN总线发射器包括具有输入的多个CAN驱动器电路,该输入通过延迟电路与它们共同的CANH输出和CANL输出耦合并且连接到该CAN总线。CANH支路和CANL支路的设备之间的Cgs电容的匹配在输入逻辑电平变化时提供了CANH输出逻辑电平和CANL输出逻辑电平的基本上同步的变化。对该多个CAN驱动器电路中的每个CAN驱动器电路的该输入逻辑电平变化的可变延迟减少了来自该CAN总线的不需要的信号的发射。
本发明授权CAN总线发射器在权利要求书中公布了:1.一种控制器局域网络CAN多米诺驱动器电路,包括: CAN高CANH支路,所述CANH支路具有耦合到传输数据TXD信号的输入和用于耦合到CAN总线的CANH电路的第一输出;和 CAN低CANL支路,所述CANL支路具有耦合到所述TXD信号的输入和用于耦合到所述CAN总线的CANL电路的第二输出; 其中所述TXD信号的逻辑电平变化将在所述CANH支路和所述CANL支路的所述第一输出和所述第二输出处生成逻辑电平变化,其中 所述CANH支路包括: 第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET; 第一电阻器; 共源共栅PMOSFET; 第一二极管;和 第一缓冲器; 其中 所述第一PMOSFET 源极耦合到第一电压电平, 栅极耦合到所述第一缓冲器的输出,并且 漏极耦合到所述第一电阻器的第一节点; 所述共源共栅PMOSFET 源极耦合到所述第一电阻器的第二节点, 栅极耦合到偏置电压,并且 漏极耦合到所述第一二极管的阳极; 所述第一二极管的阴极耦合到所述CANH支路的所述第一输出;并且 第一缓冲器的输入耦合到所述CANH支路的所述输入。
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